，意法半导体 推出了一个新系列mdash，mdash， 氮化镓 功率半导体该系列产品属于意法半导体的STPOWER 产品组合，能够显著降低各种电子产品的能耗和尺寸该系列的目标应用包括消费类电子产品的内置电源，例如，充电器，PC机外部电源适配器，LED 照明驱动器，电视机等家电消费电子产品内置电源的全球产量很大，如果提高能效，可大幅减少二氧化碳排放在功率更高的应用中，意法半导体的 PowerGaN器件也适用于电信电源，工业驱动电机，太阳能逆变器，电动汽车及其充电设施
意法半导体汽车与分立器件产品部副总裁，功率晶体管事业部经理Edoardo Merli 表示:基于 GaN 的产品商用是功率半导体的下一个攻坚阶段，我们已准备好释放这一激动人心的技术潜力今天，ST 发布了STPOWER 产品组合的新系列的首款产品，为消费，工业和汽车电源带来突破性的性能我们将逐步扩大 PowerGaN 产品组合，让任何地方的客户都能设计更高效，更小的电源
氮化镓 是一种宽带隙复合半导体材料，电压耐受能力比传统硅材料高很多，而且不会影响导通电阻性能，因此可以降低导通损耗此外，GaN产品的开关能效也比硅基晶体管高，从而可以取得非常低的开关损耗开关频率更高意味着应用电路可以采用尺寸更小的无源器件所有这些优点让设计人员能够减少功率变换器的总损耗，提高能效 因此，GaN 能更好地支持电子产品轻量化，举例来说，与目前随处常见的充电器相比，采用GaN 晶体管的PC机电源适配器更小，更轻
据第三方测算，在使用GaN器件后，标准手机充电器最多可瘦身40%，或者在相同尺寸条件下输出更大的功率，在能效和功率密度方面也可以取得类似的性能提升，适用于消费，工业，汽车等各种电子产品。
作为意法半导体新的G—HEMT 晶体管产品家族的首款产品，650V SGT120R65AL具有 120毫欧的最大导通电阻 )，15A 的最大输出电流和优化栅极驱动的开尔文源极引脚该产品目前采用行业标准的 PowerFLAT 5times，6 HV 紧凑型贴装封装，其典型应用是PC适配器，USB壁式充电器和无线充电
正在开发的 650V GaN 晶体管现在有工程样品提供，其中120毫欧 Rds的 SGT120R65A2S采用2SPAKtrade，高级层压封装，取消了引线键合工序，提高了大功率高频应用的能效和可靠性，SGT65R65AL 和 SGT65R65A2S的导通电阻都是65毫欧 Rds，分别采用PowerFLAT 5times，6 HV 和 2SPAK封装这些产品预计在 2022 年下半年量产
此外，G—FET 系列还推出一个新的共源共栅 GaN 晶体管 SGT250R65ALCS，采用 PQFN 5times，6封装，导通电阻为250毫欧 Rds，将于 2022 年第三季度提供样品
G—FETtrade， 晶体管系列是一种非常快，超低 Qrr，稳健的 GaN 共源共栅或 d 模式 FET，带有标准硅栅极驱动，适用于各种电源设计。
G—HEMTtrade， 晶体管系列是一种超快，零 Qrr 的增强模式 HEMT，并联简易，非常适合频率和功率非常高的应用。比预期更严重的疫情冲击了ProFi半导体的汽车业务，本季度收入低于预期。
G—FET 和 G—HEMT 都属于 STPOWER 产品组合的 PowerGaN 系列。不过，Jean-MarcChery表示，强劲的全球需求及其在个人电子产品领域的客户参与计划，促进了营收表现，抵消了汽车业务的影响。。
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